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1756-OB16D
1756-OB16E
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1756-OB32
电阻式设计简单,成本低,但电阻式触控较受制于其物理局限性,如透光率较低,高线数的大侦测面积造成处理器负担,其应用特性使之易老化从而影响使用寿命。电容式触控支持多点触控功能,拥有更高的透光率、更低的整体功耗,其接触面硬度高,无需按压,使用寿命较长,但度不足,不支持手写笔操控。于是衍生了压电式触摸屏。
压电式触控技术介于电阻式与电容式触控技术之间。压电式传感器的触控屏幕同电容式触控屏一样支持多点触控,而且支持任何物体触控,不像电容屏只支持类皮肤的材质触控。这样,压电式触控屏幕可以同时具有电容屏幕的多点触控触感,又具有电阻屏的。
四线电阻模拟量技术的两层透明金属层工作时每层均增加5V恒定电压:一个竖直方向,一个水平方向。总共需四根电缆。特点:高解析度,高速传输反应。 表面硬度处理,减少擦伤、刮伤及防化学处理。具有光面及雾面处理。一次校正,稳定性高,漂移。
当发射换能器发射一个窄脉冲后,声波能量历经不同途径到达接收换能器,走右边的早到达,走左边的晚到达,早到达的和晚到达的这些声波能量叠加成一个较宽的波形信号,不难看出,接收信号集合了所有在X轴方向历经长短不同路径回归的声波能量,它们在Y轴走过的路程是相同的,但在X轴上,远的比近的多走了两倍X轴大距离。因此这个波形信号的时间轴反映各原始波形叠加前的位置,也就是X轴坐标。
6ES7 314-1AG14-0AB0 CPU314,128K内存
6ES7 314-6BG03-0AB0
6ES7314-6BH04-0AB0 CPU314C-2PTP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO
6ES7 314-6CG03-0AB0
6ES7314-6CH04-0AB0 CPU314C-2DP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO
6ES7 314-6EH04-0AB0 CPU314C-2PN/DP 192K内存/24DI/16DO/ 4AI/2AO
6ES7 314-6CG03-9AM0 CPU314C-2DP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO组合件(6ES7 314-6CG03-0AB0+6ES7 392-1AM00-0AA0*2)
6ES7 315-2AG10-0AB0 CPU315-2DP, 128K内存
6ES7 315-2AH14-0AB0 CPU315-2DP, 256K内存
6ES7 315-2EH13-0AB0
6ES7315-2EH14-0AB0 CPU315-2 PN/DP, 256K内存
6ES7 317-2AJ10-0AB0
6ES7317-2AK14-0AB0 CPU317-2DP,512K内存
6ES7 317-2EK13-0AB0
6ES7317-2EK14-0AB0 CPU317-2 PN/DP,1MB内存
6ES7 318-3EL00-0AB0
6ES7318-3EL01-0AB0 CPU319-3PN/DP,1.4M内存
内存卡
6ES7 953-8LF20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡 64kByte(MMC)
6ES7953-8LF30-0AA0
6ES7 953-8L20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡128KByte(MMC)
6ES7953-8LG30-0AA0
6ES7 953-8LJ20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡512KByte(MMC)
6ES7953-8LJ30-0AA0
6ES7 953-8LL20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡2MByte(MMC)
6ES7953-8LL31-0AA0
6ES7 953-8LM20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡4MByte(MMC)
6ES7953-8LM31-0AA0
6ES7 953-8LP20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡8MByte(MMC)
6ES7953-8LP31-0AA0
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